casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT13F120S
codice articolo del costruttore | APT13F120S |
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Numero di parte futuro | FT-APT13F120S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT13F120S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4765pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 625W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3Pak |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT13F120S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT13F120S-FT |
APT50M75JLLU2
Microsemi Corporation
APT50M75JLLU3
Microsemi Corporation
APT50N60JCCU2
Microsemi Corporation
APT58M50JCU2
Microsemi Corporation
APT58M50JU2
Microsemi Corporation
APT58M50JU3
Microsemi Corporation
APT29F80J
Microsemi Corporation
APT30M40JVR
Microsemi Corporation
APT60M75JVR
Microsemi Corporation
APT60M60JLL
Microsemi Corporation
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel