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IXYS IXFB80N50Q2

Numero parte MFG
IXFB80N50Q2
quantità disponibile
67590 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 23.6
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
HiPerFET™ MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IXFB80N50Q2
Numero di parte futuro FT-IXFB80N50Q2
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFB80N50Q2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15000pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS264™
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFB80N50Q2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFB80N50Q2-FT

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