casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK32N80Q3
codice articolo del costruttore | IXFK32N80Q3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFK32N80Q3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFK32N80Q3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6940pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1000W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK32N80Q3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK32N80Q3-FT |
APT42F50S
Microsemi Corporation
APT30F50S
Microsemi Corporation
APT37F50S
Microsemi Corporation
APT11F80S
Microsemi Corporation
APT14F100S
Microsemi Corporation
APT15F60S
Microsemi Corporation
APT17F100S
Microsemi Corporation
APT17F80S
Microsemi Corporation
APT17N80SC3G
Microsemi Corporation
APT18F60S
Microsemi Corporation
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel