casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK32N80Q3
codice articolo del costruttore | IXFK32N80Q3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFK32N80Q3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFK32N80Q3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6940pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1000W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK32N80Q3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK32N80Q3-FT |
APT42F50S
Microsemi Corporation
APT30F50S
Microsemi Corporation
APT37F50S
Microsemi Corporation
APT11F80S
Microsemi Corporation
APT14F100S
Microsemi Corporation
APT15F60S
Microsemi Corporation
APT17F100S
Microsemi Corporation
APT17F80S
Microsemi Corporation
APT17N80SC3G
Microsemi Corporation
APT18F60S
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
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EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
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XC6VLX240T-1FF1156C
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XC4VFX40-10FF672C
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XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation