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IXYS IXTT3N200P3HV

Name: IXTT3N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: IXTT3N200P3HV
Price: 29.6 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (625 reviews)

Numero parte MFG: IXTT3N200P3HV

quantità disponibile: 91260 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 29.6

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: - 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTT3N200P3HV.pdf

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IXTT3N200P3HV specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTT3N200P3HV
Numero di parte futuro	FT-IXTT3N200P3HV
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXTT3N200P3HV Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	2000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1860pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	520W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-268
Pacchetto / caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTT3N200P3HV Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTT3N200P3HV-FT

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