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IXYS IXFH10N80P

Numero parte MFG
IXFH10N80P
quantità disponibile
73330 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.610136
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Data di spedizione
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
HiPerFET™, PolarHT™ MOSFET N-CH 800V 10A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXFH10N80P specificazioni

codice articolo del costruttore IXFH10N80P
Numero di parte futuro FT-IXFH10N80P
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™, PolarHT™
IXFH10N80P Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH10N80P Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFH10N80P-FT

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