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IXYS IXFH21N50

Numero parte MFG
IXFH21N50
quantità disponibile
50130 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 7.024
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Data di spedizione
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
HiPerFET™ MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXFH21N50 specificazioni

codice articolo del costruttore IXFH21N50
Numero di parte futuro FT-IXFH21N50
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFH21N50 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH21N50 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFH21N50-FT

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