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IXYS-RF IXFH12N100F

Name: IXFH12N100F
Brand: IXYS-RF
SKU: IXFH12N100F
Price: 7.265336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (71 reviews)

Numero parte MFG: IXFH12N100F

quantità disponibile: 21760 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 7.265336

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fabbricante: IXYS-RF

Breve descrizione: HiPerRF™ MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFH12N100F.pdf

IXFH12N100F specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFH12N100F
Numero di parte futuro	FT-IXFH12N100F
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerRF™
IXFH12N100F Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	77nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso	TO-3P-3 Full Pack
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH12N100F Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFH12N100F-FT

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