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IXYS-RF IXFN24N100F

Numero parte MFG
IXFN24N100F
quantità disponibile
66570 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 29.72
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Data di spedizione
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fabbricante
IXYS-RF
Breve descrizione
HiPerRF™ MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXFN24N100F specificazioni

codice articolo del costruttore IXFN24N100F
Numero di parte futuro FT-IXFN24N100F
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerRF™
IXFN24N100F Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN24N100F Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFN24N100F-FT

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