casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFB60N80P
codice articolo del costruttore | IXFB60N80P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFB60N80P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFB60N80P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS264™ |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFB60N80P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFB60N80P-FT |
APT33N90JCCU3
Microsemi Corporation
APT33N90JCU2
Microsemi Corporation
APT33N90JCU3
Microsemi Corporation
APT38M50J
Microsemi Corporation
APT40M35JVFR
Microsemi Corporation
APT40M42JN
Microsemi Corporation
APT40M70JVFR
Microsemi Corporation
APT40M75JN
Microsemi Corporation
APT45M100J
Microsemi Corporation
APT5012JN
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation