casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK64N60P
codice articolo del costruttore | IXFK64N60P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFK64N60P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFK64N60P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 64A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 96 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1040W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK64N60P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK64N60P-FT |
APT55M65JFLL
Microsemi Corporation
APT58F50J
Microsemi Corporation
APT58M50J
Microsemi Corporation
APT58M50JCU3
Microsemi Corporation
APT58MJ50J
Microsemi Corporation
APT60M75JVFR
Microsemi Corporation
APT60M80JVR
Microsemi Corporation
APT70SM70J
Microsemi Corporation
APT8014JLL
Microsemi Corporation
APT8018JN
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel