casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TP2522N8-G
codice articolo del costruttore | TP2522N8-G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TP2522N8-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TP2522N8-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 220V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 260mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-243AA (SOT-89) |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP2522N8-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TP2522N8-G-FT |
PSMN1R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN1R7-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R8-40YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R9-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN2R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30YLE,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R2-25YLC,115
NXP USA Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel