casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / IXA70I1200NA
codice articolo del costruttore | IXA70I1200NA |
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Numero di parte futuro | FT-IXA70I1200NA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXA70I1200NA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Potenza - Max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXA70I1200NA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXA70I1200NA-FT |
FZ600R65KE3NOSA1
Infineon Technologies
FZ750R65KE3NOSA1
Infineon Technologies
FZ800R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
FZ800R12KS4B2NOSA1
Infineon Technologies
FZ800R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies
FZ800R33KL2CB5NOSA1
Infineon Technologies
FZ800R33KL2CNOSA1
Infineon Technologies
FZ800R45KL3B5NOSA2
Infineon Technologies
FZ900R12KF5NOSA1
Infineon Technologies
FZ900R12KP4HOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation