casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXA12IF1200HB
codice articolo del costruttore | IXA12IF1200HB |
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Numero di parte futuro | FT-IXA12IF1200HB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXA12IF1200HB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
Potenza - Max | 85W |
Cambiare energia | 1.1mJ (on), 1.1mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 27nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | 600V, 10A, 100 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 350ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (HB) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXA12IF1200HB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXA12IF1200HB-FT |
IXYH75N65C3H1
IXYS
IXYH40N120C3
IXYS
IXA45IF1200HB
IXYS
IXGH50N90B2D1
IXYS
IXYH30N170C
IXYS
IXYH40N120C3D1
IXYS
IXBH10N170
IXYS
IXBH24N170
IXYS
IXBH42N170A
IXYS
IXBH5N160G
IXYS
XC2S50-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2FGG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQG208I
Microsemi Corporation
XC7A200T-2SBG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K400EBC652-3
Intel
EP20K200EQC240-3
Intel