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codice articolo del costruttore | ISC1210BN680J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210BN680J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210BN680J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 68µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 90mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 10 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 11MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN680J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210BN680J-FT |
744900019
Wurth Electronics Inc.
744900020
Wurth Electronics Inc.
744900022
Wurth Electronics Inc.
744900027
Wurth Electronics Inc.
744900033
Wurth Electronics Inc.
744900039
Wurth Electronics Inc.
744900047
Wurth Electronics Inc.
744900056
Wurth Electronics Inc.
IHSM3825ER102L
Vishay Dale
IHSM3825ER1R0L
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel