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codice articolo del costruttore | ISC1210EB56NM |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EB56NM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB56NM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 56nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 485mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB56NM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EB56NM-FT |
ISC1210BN470J
Vishay Dale
ISC1210BN470K
Vishay Dale
ISC1210BN47NM
Vishay Dale
ISC1210BN4R7J
Vishay Dale
ISC1210BN4R7K
Vishay Dale
ISC1210BN560J
Vishay Dale
ISC1210BN560K
Vishay Dale
ISC1210BN56NK
Vishay Dale
ISC1210BN56NM
Vishay Dale
ISC1210BN5R6J
Vishay Dale
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40I2N
Intel
EP4SGX230KF40I4
Intel
5SGSMD3E2H29C3N
Intel
EP4SGX290NF45I4
Intel
XC7A75T-1CSG324C
Xilinx Inc.
5CEFA2M13C8N
Intel