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codice articolo del costruttore | ISC1210EB56NM |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EB56NM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB56NM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 56nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 485mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB56NM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EB56NM-FT |
ISC1210BN470J
Vishay Dale
ISC1210BN470K
Vishay Dale
ISC1210BN47NM
Vishay Dale
ISC1210BN4R7J
Vishay Dale
ISC1210BN4R7K
Vishay Dale
ISC1210BN560J
Vishay Dale
ISC1210BN560K
Vishay Dale
ISC1210BN56NK
Vishay Dale
ISC1210BN56NM
Vishay Dale
ISC1210BN5R6J
Vishay Dale
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel