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codice articolo del costruttore | ISC1210BN56NM |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210BN56NM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210BN56NM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 56nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 485mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN56NM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210BN56NM-FT |
744900014
Wurth Electronics Inc.
744900015
Wurth Electronics Inc.
744900018
Wurth Electronics Inc.
744900019
Wurth Electronics Inc.
744900020
Wurth Electronics Inc.
744900022
Wurth Electronics Inc.
744900027
Wurth Electronics Inc.
744900033
Wurth Electronics Inc.
744900039
Wurth Electronics Inc.
744900047
Wurth Electronics Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel