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codice articolo del costruttore | ISC1210EB2R7J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EB2R7J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB2R7J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 2.7µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 290mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 60MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB2R7J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EB2R7J-FT |
ISC1210BN1R8K
Vishay Dale
ISC1210BN220J
Vishay Dale
ISC1210BN220K
Vishay Dale
ISC1210BN22NK
Vishay Dale
ISC1210BN270K
Vishay Dale
ISC1210BN2R2J
Vishay Dale
ISC1210BN2R2K
Vishay Dale
ISC1210BN2R7J
Vishay Dale
ISC1210BN2R7K
Vishay Dale
ISC1210BN330J
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel