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codice articolo del costruttore | ISC1210EB2R2J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EB2R2J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB2R2J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 320mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 65MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB2R2J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EB2R2J-FT |
ISC1210BN1R5K
Vishay Dale
ISC1210BN1R8J
Vishay Dale
ISC1210BN1R8K
Vishay Dale
ISC1210BN220J
Vishay Dale
ISC1210BN220K
Vishay Dale
ISC1210BN22NK
Vishay Dale
ISC1210BN270K
Vishay Dale
ISC1210BN2R2J
Vishay Dale
ISC1210BN2R2K
Vishay Dale
ISC1210BN2R7J
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel