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codice articolo del costruttore | ISC1210EB1R2K |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EB1R2K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB1R2K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.2µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 390mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 110MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB1R2K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EB1R2K-FT |
ISC1210BN12NM
Vishay Dale
ISC1210BN150J
Vishay Dale
ISC1210BN150K
Vishay Dale
ISC1210BN15NM
Vishay Dale
ISC1210BN180K
Vishay Dale
ISC1210BN18NK
Vishay Dale
ISC1210BN1R0J
Vishay Dale
ISC1210BN1R0K
Vishay Dale
ISC1210BN1R2J
Vishay Dale
ISC1210BN1R2K
Vishay Dale
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel