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codice articolo del costruttore | 744900019 |
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Numero di parte futuro | FT-744900019 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WE-TCI |
744900019 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.9nH |
Tolleranza | ±0.2nH |
Valutazione attuale | 200mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 550 mOhm Max |
Q @ Freq | 8 @ 500MHz |
Frequenza - Autorisonante | 9GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 500MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0201 (0603 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.011" (0.28mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
744900019 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 744900019-FT |
74479887247
Wurth Electronics Inc.
74479887268
Wurth Electronics Inc.
74479887310
Wurth Electronics Inc.
74479787210A
Wurth Electronics Inc.
74479776247
Wurth Electronics Inc.
74479876147C
Wurth Electronics Inc.
74479876210C
Wurth Electronics Inc.
74479776222
Wurth Electronics Inc.
74479776233
Wurth Electronics Inc.
74479876124C
Wurth Electronics Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel