casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS43LD32640B-18BPL-TR
codice articolo del costruttore | IS43LD32640B-18BPL-TR |
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Numero di parte futuro | FT-IS43LD32640B-18BPL-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS43LD32640B-18BPL-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
Dimensione della memoria | 2Gb (64M x 32) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 168-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 168-VFBGA (12x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43LD32640B-18BPL-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS43LD32640B-18BPL-TR-FT |
MT47H64M16HW-3:H
Micron Technology Inc.
MT47R64M16HR-25:H
Micron Technology Inc.
MT47R64M16HR-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47R64M16HR-3:H
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E IT:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8HQ-3:G TR
Micron Technology Inc.
AS4C32M16MD1A-5BCN
Alliance Memory, Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel