casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H256M8EB-25E IT:C
codice articolo del costruttore | MT47H256M8EB-25E IT:C |
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Numero di parte futuro | FT-MT47H256M8EB-25E IT:C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H256M8EB-25E IT:C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 400ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (9x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M8EB-25E IT:C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H256M8EB-25E IT:C-FT |
MT48LC8M16LFB4-10 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFB4-10:G
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFB4-75M:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFB4-8 IT:G
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFB4-8 XT:G
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFB4-8:G
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFB4-8:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFF4-10 IT:G
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFF4-10:G
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel