casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS29GL01GS-11DHV01
codice articolo del costruttore | IS29GL01GS-11DHV01 |
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Numero di parte futuro | FT-IS29GL01GS-11DHV01 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
IS29GL01GS-11DHV01 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Preliminary |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS29GL01GS-11DHV01 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS29GL01GS-11DHV01-FT |
S29GL512S10FHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHSS40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHSS43
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHSS50
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHSS53
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHSS60
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHSS63
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11DHAV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11DHAV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11DHB010
Cypress Semiconductor Corp
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel