casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512S10FHSS60
codice articolo del costruttore | S29GL512S10FHSS60 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512S10FHSS60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S10FHSS60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-Fortified BGA (13x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S10FHSS60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512S10FHSS60-FT |
S25FL256LAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI000
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FS256SAGNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FS256SDSNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFB010
Cypress Semiconductor Corp