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Infineon Technologies IRLU3717PBF

Name: IRLU3717PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLU3717PBF
Availability: InStock
Rating: 4.5 (411 reviews)

Numero parte MFG: IRLU3717PBF

quantità disponibile: 48520 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRLU3717PBF.pdf

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IRLU3717PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRLU3717PBF
Numero di parte futuro	FT-IRLU3717PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLU3717PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2830pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	89W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-PAK
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLU3717PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRLU3717PBF-FT

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