casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6618TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF6618TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6618TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6618TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 170A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5640pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MT |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MT |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6618TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6618TRPBF-FT |
IRF6795MTRPBF
Infineon Technologies
IRF6797MTR1PBF
Infineon Technologies
IRF6797MTRPBF
Infineon Technologies
IRF6798MTR1PBF
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IRF6798MTRPBF
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IRF6893MTRPBF
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IRF6894MTR1PBF
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IRF6894MTRPBF
Infineon Technologies
IRF6898MTR1PBF
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel