casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLR3410PBF
codice articolo del costruttore | IRLR3410PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRLR3410PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLR3410PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR3410PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLR3410PBF-FT |
IRLR8256TRPBF
Infineon Technologies
IRLR8729TRPBF
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TK50P04M1(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
IXTY01N100D
IXYS
IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies
IRFR48ZTRLPBF
Infineon Technologies
IRFR6215TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR2905TRLPBF
Infineon Technologies
RFD14N05LSM
ON Semiconductor
AUIRFZ24NS
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel