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Toshiba Semiconductor and Storage TK50P04M1(T6RSS-Q)

Name: TK50P04M1(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK50P04M1(T6RSS-Q)
Price: 0.28768 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (748 reviews)

Numero parte MFG: TK50P04M1(T6RSS-Q)

quantità disponibile: 51670 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.28768

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVI-H MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK50P04M1(T6RSS-Q).pdf

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TK50P04M1(T6RSS-Q) specificazioni

codice articolo del costruttore	TK50P04M1(T6RSS-Q)
Numero di parte futuro	FT-TK50P04M1(T6RSS-Q)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVI-H
TK50P04M1(T6RSS-Q) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DP
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK50P04M1(T6RSS-Q) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK50P04M1(T6RSS-Q)-FT

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