casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQD11P06TM
codice articolo del costruttore | FQD11P06TM |
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Numero di parte futuro | FT-FQD11P06TM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQD11P06TM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD11P06TM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQD11P06TM-FT |
ZVN4310ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN4310ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN4424ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN4424ASTOB
Diodes Incorporated
ZVNL110ASTOA
Diodes Incorporated
ZVNL110ASTOB
Diodes Incorporated
ZVNL120ASTOA
Diodes Incorporated
ZVNL120ASTOB
Diodes Incorporated
ZVNL120C
Diodes Incorporated
ZVNL120CSTOA
Diodes Incorporated
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel