casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLR2908TRLPBF
codice articolo del costruttore | IRLR2908TRLPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRLR2908TRLPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLR2908TRLPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR2908TRLPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLR2908TRLPBF-FT |
ZVP1320ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP1320ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP1320ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP2106AS
Diodes Incorporated
ZVP2106ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP2106ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP2110ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP2110ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP2120A
Diodes Incorporated
ZVP2120ASTOA
Diodes Incorporated
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel