casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLR110TRL
codice articolo del costruttore | IRLR110TRL |
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Numero di parte futuro | FT-IRLR110TRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRLR110TRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 2.6A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR110TRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLR110TRL-FT |
SISS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS04DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS06DN-T1-GE3
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SISS08DN-T1-GE3
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SISS22DN-T1-GE3
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SISS27DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS30DN-T1-GE3
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SISS42DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS46DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS65DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel