casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SISS27DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SISS27DN-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SISS27DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SISS27DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5250pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS27DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SISS27DN-T1-GE3-FT |
SIHP15N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP180N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP20N50E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP21N80AE-GE3
Vishay Siliconix
SIHP240N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP28N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP28N65EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHP35N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHP6N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHA25N60EFL-E3
Vishay Siliconix
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel