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ON Semiconductor FDG311N

Numero parte MFG
FDG311N
quantità disponibile
77270 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.141176
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
PowerTrench® MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
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Numero di parte futuro FT-FDG311N
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDG311N Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6)
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDG311N Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDG311N-FT

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