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IXYS IXFQ12N80P

Name: IXFQ12N80P
Brand: IXYS
SKU: IXFQ12N80P
Price: 2.808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (470 reviews)

Numero parte MFG: IXFQ12N80P

quantità disponibile: 16420 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.808

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™, PolarHT™ MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFQ12N80P.pdf

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IXFQ12N80P specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFQ12N80P
Numero di parte futuro	FT-IXFQ12N80P
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, PolarHT™
IXFQ12N80P Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFQ12N80P Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFQ12N80P-FT

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