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Infineon Technologies IRLML2502TRPBF

Numero parte MFG
IRLML2502TRPBF
quantità disponibile
22830 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.123424
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRLML2502TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRLML2502TRPBF
Numero di parte futuro FT-IRLML2502TRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLML2502TRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLML2502TRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRLML2502TRPBF-FT

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