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Infineon Technologies IRLHS6342TRPBF

Numero parte MFG
IRLHS6342TRPBF
quantità disponibile
14350 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.189504
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRLHS6342TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRLHS6342TRPBF
Numero di parte futuro FT-IRLHS6342TRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLHS6342TRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1019pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-PQFN (2x2)
Pacchetto / caso 6-PowerVDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLHS6342TRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRLHS6342TRPBF-FT

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