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Infineon Technologies IRLHS6342TR2PBF

Name: IRLHS6342TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLHS6342TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (429 reviews)

Numero parte MFG: IRLHS6342TR2PBF

quantità disponibile: 85110 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRLHS6342TR2PBF.pdf

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IRLHS6342TR2PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRLHS6342TR2PBF
Numero di parte futuro	FT-IRLHS6342TR2PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLHS6342TR2PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.7A (Ta), 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1019pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-PQFN (2x2)
Pacchetto / caso	6-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLHS6342TR2PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRLHS6342TR2PBF-FT

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