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Infineon Technologies IRLHS2242TR2PBF

Numero parte MFG
IRLHS2242TR2PBF
quantità disponibile
81940 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IRLHS2242TR2PBF
Numero di parte futuro FT-IRLHS2242TR2PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLHS2242TR2PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta), 15A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 877pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-PQFN (2x2)
Pacchetto / caso 6-PowerVDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLHS2242TR2PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRLHS2242TR2PBF-FT

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