casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRL100HS121
codice articolo del costruttore | IRL100HS121 |
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Numero di parte futuro | FT-IRL100HS121 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRL100HS121 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 6.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 11.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-PQFN (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-VDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL100HS121 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRL100HS121-FT |
IXTQ48N20T
IXYS
IXTQ54N30T
IXYS
IXTQ56N15T
IXYS
IXTQ60N30T
IXYS
IXTQ62N25T
IXYS
IXTQ72N20T
IXYS
IXTQ72N30T
IXYS
IXTQ74N15T
IXYS
IXTQ76N25T
IXYS
IXTQ80N28T
IXYS
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel