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Infineon Technologies IRG8CH50K10F

Numero parte MFG
IRG8CH50K10F
quantità disponibile
12660 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 4.463912
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
- IGBT CHIP WAFER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IRG8CH50K10F
Numero di parte futuro FT-IRG8CH50K10F
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IRG8CH50K10F Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
Potenza - Max -
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello 245nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 60ns/285ns
Condizione di test 600V, 50A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso Die
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRG8CH50K10F Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRG8CH50K10F-FT

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