casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / NGTD21T65F2WP
codice articolo del costruttore | NGTD21T65F2WP |
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Numero di parte futuro | FT-NGTD21T65F2WP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NGTD21T65F2WP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 45A |
Potenza - Max | - |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | - |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTD21T65F2WP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NGTD21T65F2WP-FT |
IKW50N65WR5XKSA1
Infineon Technologies
IHW25N120E1XKSA1
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IGW50N65H5FKSA1
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IKW30N65WR5XKSA1
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IHW40N65R5XKSA1
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IKW40N65WR5XKSA1
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IGW75N60H3FKSA1
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IGW100N60H3FKSA1
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IGW40N60TPXKSA1
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AT40K20LV-3BQI
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