casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / IRG7T150CH12B
codice articolo del costruttore | IRG7T150CH12B |
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Numero di parte futuro | FT-IRG7T150CH12B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRG7T150CH12B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300A |
Potenza - Max | 910W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 20.2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POWIR® 62 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | POWIR® 62 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG7T150CH12B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRG7T150CH12B-FT |
FZ2400R17KF6CB2S1NDSA1
Infineon Technologies
FZ2400R17KF6CB2S1NOSA1
Infineon Technologies
FZ250R65KE3NPSA1
Infineon Technologies
FZ300R12KE3GHOSA1
Infineon Technologies
FZ30R07W1E3B31ABOMA1
Infineon Technologies
FZ3600R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
FZ3600R12HP4PHPSA1
Infineon Technologies
FZ3600R17HE4PHPSA1
Infineon Technologies
FZ3600R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FZ400R12KE3B1HOSA1
Infineon Technologies
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG676I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQC
Microchip Technology
EP20K300EFC672-2
Intel
5CEFA7F27C7N
Intel
10CL055ZF484I8G
Intel
EP3CLS70F484C8N
Intel
AX1000-2FG676I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144
Microsemi Corporation