casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFU6215
codice articolo del costruttore | IRFU6215 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFU6215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFU6215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU6215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFU6215-FT |
IPN70R900P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel