casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFU5505
codice articolo del costruttore | IRFU5505 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFU5505 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFU5505 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 9.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU5505 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFU5505-FT |
IPN70R450P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R900P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN80R1K2P7ATMA1
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IPN80R1K4P7ATMA1
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IPN80R2K0P7ATMA1
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IPN80R3K3P7ATMA1
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IPN80R4K5P7ATMA1
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IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN95R1K2P7ATMA1
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XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
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M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
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M2GL090TS-1FGG676I
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LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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