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Infineon Technologies IRFU3711PBF

Numero parte MFG
IRFU3711PBF
quantità disponibile
92000 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRFU3711PBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRFU3711PBF
Numero di parte futuro FT-IRFU3711PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFU3711PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2980pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 120W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore IPAK (TO-251)
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFU3711PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFU3711PBF-FT

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