casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFSL7730PBF
codice articolo del costruttore | IRFSL7730PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFSL7730PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
IRFSL7730PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 195A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 407nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13660pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFSL7730PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFSL7730PBF-FT |
IPD90N06S4L05ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S4L05ATMA2
Infineon Technologies
IPD90N06S4L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N06S4L06ATMA2
Infineon Technologies
IPD90P03P404ATMA1
Infineon Technologies
IPD90R1K2C3BTMA1
Infineon Technologies
IPDH4N03LAG
Infineon Technologies
IPDH5N03LA G
Infineon Technologies
IPDH6N03LAG
Infineon Technologies
IRFR024NTRLPBF
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel