casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFSL11N50APBF
codice articolo del costruttore | IRFSL11N50APBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFSL11N50APBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFSL11N50APBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1426pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFSL11N50APBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFSL11N50APBF-FT |
IRLZ14
Vishay Siliconix
IRLZ24
Vishay Siliconix
IRLZ34
Vishay Siliconix
IRLZ44
Vishay Siliconix
SIHF18N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHP17N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP22N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP23N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP24N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP24N65EF-GE3
Vishay Siliconix
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.