casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GP1M003A090C
codice articolo del costruttore | GP1M003A090C |
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Numero di parte futuro | FT-GP1M003A090C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP1M003A090C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 748pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M003A090C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP1M003A090C-FT |
FQD20N06TF
ON Semiconductor
FQD24N08TF
ON Semiconductor
FQD24N08TM
ON Semiconductor
FQD2N100TF
ON Semiconductor
FQD2N30TM
ON Semiconductor
FQD2N40TF
ON Semiconductor
FQD2N40TM
ON Semiconductor
FQD2N50TF
ON Semiconductor
FQD2N50TM
ON Semiconductor
FQD2N60CTF
ON Semiconductor
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel