casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFP4868PBF
codice articolo del costruttore | IRFP4868PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFP4868PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFP4868PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10774pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 517W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP4868PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFP4868PBF-FT |
SPI70N10L
Infineon Technologies
SPI73N03S2L-08
Infineon Technologies
SPI80N03S2-03
Infineon Technologies
SPI80N03S2L-03
Infineon Technologies
SPI80N03S2L-04
Infineon Technologies
SPI80N03S2L-05
Infineon Technologies
SPI80N03S2L-06
Infineon Technologies
SPI80N04S2-04
Infineon Technologies
SPI80N06S-08
Infineon Technologies
SPI80N06S2-07
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel