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Infineon Technologies SPI80N06S-08

Name: SPI80N06S-08
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPI80N06S-08
Availability: InStock
Rating: 4.8 (287 reviews)

Numero parte MFG: SPI80N06S-08

quantità disponibile: 95180 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: SIPMOS® MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SPI80N06S-08.pdf

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SPI80N06S-08 specificazioni

codice articolo del costruttore	SPI80N06S-08
Numero di parte futuro	FT-SPI80N06S-08
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
SPI80N06S-08 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 240µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	187nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3660pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO262-3-1
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPI80N06S-08 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SPI80N06S-08-FT

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